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碳化硅设备

中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破

已认证账号 1 人赞同了该文章导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。据中金企信国际咨询 SiC功率器件与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压 SiC功率器件东芝半导体&存储产品中国官网

三菱电机功率器件：SiC MITSUBISHI ELECTRIC

适用于各种用途 Electric began developing SiC as a new material in the early 1990s Pursuing special characteristics, we succeeded in developing various elemental technologies In 2010, we 1 天前技术领域 Silicon Carbide (SiC) 出色的可靠性、多样性和系统优势。来自英飞凌的碳化硅技术！凭借我们满足最高质量标准的丰富的产品组合，可以保证实现较长系统使碳化硅SiC器件英飞凌(Infineon)官网 Infineon Technologies

英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The

英罗唯森：开启碳化硅设备先河无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限

延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心东莞天域东莞市天域半导体科技有限公司（TYSiC)成立于,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。目前公司已引进四台世界一流的SiCCVD及配套国内第三代半导体厂商（碳化硅）

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总

碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。随着衬底加工设备、清洗设备、测试设备等的逐步到位，以及加工工艺的进一步本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”|sic|材料

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 爱集微 19:16 福建 4 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体碳化硅的设备国产化在这两年也有一些进展。比如用于衬底生产的单晶生长设备——硅长晶炉：，露笑科技与中科钢研、国宏中宇签署合作协议，依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的小议碳化硅的国产化

碳化硅

碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济国内碳化硅半导体产业链代表企业衬底企业天科合达北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。国内碳化硅半导体企业大盘点

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代|碳化硅新浪财经新浪网

根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

磨抛设备碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售图 4 全球碳化硅产业格局图 5 现有碳化硅外延设备分析预计到 2023 年碳化硅外延设备的年复合增长率有望超过 50%。图 6 碳化硅外延设备市场前景随着新兴碳化硅外延技术的崛起，这个几十亿规模的产碳化硅外延技术突破或改变产业格局！电子工程专辑

半导体CVD设备国产化进行到哪步了？外延碳化硅日本

国产碳化硅设备最新进展今年2月，晶盛机电发布了6英寸双片式SiC外延设备，该设备通过对反应室石墨件的改造，采用上下层叠加的方式，单炉可以生长两片外延片，且上下层工艺气体可以单独调控，温差≤5℃，有效弥补了单片水平式外延炉产在碳化硅领域的布局上，此前华为旗下的哈勃科技投资也已入股了山东天岳、瀚天天成等碳化硅技术厂商拥有最多的碳化硅外延炉CVD，月产能5000件。凭着最先进的外延能力和最先进的测试和表征设备，天域为全球客户提供n型和p型掺杂外延哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？

SIC外延漫谈

去咨询 SiC产业链解析：碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中对外延层质量的要求非常高。而且随着耐压性能的不断提高，所要求的外延层的厚度就越厚，成本也会相就第三代半导体器件而言，这类半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要 [初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系

半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比

半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4 碳化硅功率模块碳化硅SIC材料研究现状与行业应用

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？

在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。

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